东芝于今日（30 日）发表由该公司所开发，运作速度可达 4.8GHz 的 512Mbit 第二代 XDR DRAM 内存，即日起开始进行样品的出货。

XDR DRAM 是 Rambus 公司所提出，承继该公司先前所推出，曾获 N64 与 PS2 采用为主存储器的 Rambus DRAM（简称 RDRAM）设计路线的新一代高速序列传输内存，目前已确定将用于 SCE 下一代 PS 主机（暂称 PS3）的主存储器用途。

本次东芝所公布，开始进行测试样品出货的 XDR DRAM‘TC59YM916BKG’，是容量为 512Mbit 的第二代产品，采用运作电压 1.8V，振幅仅 0.2V 的 DRSL 微幅差动讯号技术，以单一时脉传输 8 笔资料的 ODR 方式，于 600MHz 的时脉下达成 4.8GHz 的数据传输速度，频宽约为目前 PC 上最高阶的 533MHz DDR2 内存的 9 倍，或是高阶显示卡所采用的 1.6GHz GDDR3 内存的 3 倍之多。

东芝同时也公布该 XDR DRAM 内存芯片于测试中可达成目前规格中最高的 6.4GHz 数据传输速度，比 4.8GHz 的频宽提升 3 成以上。将可满足高内存频宽需求的应用，如高画质数字影音摄录放产品、电视游乐器（SCE PS3）、数字电视以及高效能工作站 / 服务器（IBM CELL）等。

目前预定投入 XDR DRAM 内存生产的厂商主要有 东芝（Toshiba）、尔必达（Elpida）与 三星 等 3 家厂商。尔必达今日（30 日）也发表将开始进行 512Mbit 3.2GHz XDR DRAM 产品的样品出货，预定 9 月正式量产；三星则是于年初发表将正式量产 256Mbit 4GHz 的 XDR DRAM 内存，并预定于今年上半年发表 6.4GHz 的产品。目前已知 XDR DRAM 内存最大的需求将会是供应 PS3 的生产。